開發(fā)的線上檢測誤差的影像量測顯微鏡
一方面了解機臺精度,一方面分析本技術(shù)所能達(dá)到的精度,具體的目標(biāo)說明如下:
兩次電極涂布對位誤差補償技術(shù)以往硅晶太陽能芯片在單次電極涂布時,涂布區(qū)域相對于芯片邊界在位置及角度上皆允許有較大誤差的產(chǎn)生,介于 200~300 μm,但并不影響芯片的轉(zhuǎn)換效率。然而,當(dāng)制程改變?yōu)閮纱瓮坎紩r,
若仍使用單次涂布的檢測與補償技術(shù),將只能修正芯片邊界的對位誤差,但無法解決涂布區(qū)域相對于芯片邊界的誤差及兩次涂布電極的錯位問題。
因此,將使用自行開發(fā)的線上檢測與誤差補償技術(shù),實際對兩次涂布所產(chǎn)生的對位誤差進(jìn)行補償。透過影像采集設(shè)備并配合誤差補償軟件,實際對涂布機臺進(jìn)行補償值的修正,希望將兩次涂布之對位誤差降至 50 μm 內(nèi),目標(biāo)為在現(xiàn)有機臺上做小改變,并滿足量產(chǎn)性
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