局部拋光和一全面拋光的GaAs半導體基板。量測樣品是利用切割制程將塊狀單晶(Bulk Single-Crystal)切割成量測用之獨特基板，并透過Taylor Hobson干涉儀來量測，驗證GaAs基板會因局部拋光而產生殘馀損傷(residual damage)。這個局部拋光基板呈現0.36 nm均方根值(root mean square, RMS)粗糙度，且有一因切割損傷而造成特殊而明顯急劇變化的特征。而全面拋光樣品基板(圖二b)有遠低于0.16nm的均方根表面粗糙度。這個圖表示即使極高品質的傳統半導體表面，依然會些微急劇變化的特征存在于有刮痕的晶面背景下。

利用這個方法可以簡單的獲得這些影像，且這個技術的操作要求就如同操作一般光學顯微鏡同樣簡單。此外，設備操作前的裝置時間(Setup time)很短，且獲得如圖二的影像僅需90秒。相較之下，AFM要獲得類似的小面積影像，就已經需要約15分鐘的量測時間及同等的裝置時間。而AFM在樣品與探針間也牽扯複雜的接觸模式，且需要熟練且經驗豐富的操作員操作，以確保量測結果的可靠性。