大量實驗觀測表面吸附原子與在該層的擴散雜質
當潔凈表面置于電解質溶液時,表面就吸附溶液內的雜質離子。 所列數據是一個很適當的吸附實例,它說明浸入很稀的污染離子溶掖內的硅,其表面的SiOa膜吸附六種元素的程度。當考慮到相應的單位表面硅原子數時,這種程度是大的,因為衷面的位置數約101勺厘米,而外來原子所占位咒為10000-10個。 大量實驗觀測結果證實,對電子器件的制造來說,當前的加工方法在表而還遺留雜質1013原子。例如,蝕刻硅時,蝕刻劑不僅很快含有溶解的硅,而且還含摻雜原子與在該層的擴散雜質。表6-1證實終硅而對這些離子進行了重大吸附。這可能是微星電的吸附作用。
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