本文標(biāo)題："通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測試失效率"

發(fā)布者：YIYI ------ 分類: 站內(nèi)動態(tài) ------ 人瀏覽過 -----時間：2015-10-2 18:19:16

通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測試失效率

   當(dāng)結(jié)溫為150度(額定條件的極大值)，在通常環(huán)境下的小規(guī)模
試驗生產(chǎn)線上產(chǎn)品的預(yù)側(cè)失效率為每1000小時0.03%，在含塵量低
的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品每1000小時預(yù)測失效率為0.001%，而且在含塵
量低的環(huán)境中生產(chǎn)的產(chǎn)品，能通過初測的也較多。
    與產(chǎn)品設(shè)計之間的關(guān)系
    許多情況下，可以通過修改產(chǎn)品設(shè)計來避免污染的影響。硅
平面型晶體管由于表面反型層而產(chǎn)生漏電流過多這一情況，可以
清楚地說明產(chǎn)品設(shè)計、電氣性能和它對污染敏感度之間的一定關(guān)
系。
    圖2-11為器件的幾何圖形。器件由于從基極一集電極結(jié)到片
子的邊緣存在反型層而產(chǎn)生過大的集電極電流，這個效應(yīng)稱為溝
道效應(yīng)。它的集電極電壓一電流特性表示在圖2-1h中。電流可以
從基極區(qū)沿著反型層在片子邊緣流進(jìn)襯底硅。片子的邊緣是一個
缺陷密度很高的位置，那里很容易發(fā)生由反型層到集電極區(qū)域之
間的擊穿。如果附加一個高摻雜擴(kuò)散的防護(hù)環(huán)或“溝道塞”如圖
2-11所示，就能使這些反型層無害，這些防護(hù)環(huán)在npn和pnp兩
種晶體管中都能起作用。
 

后一篇文章：用顯微鏡觀察多數(shù)情況下計算表面污染物的數(shù)量 »
前一篇文章：« 預(yù)測額定功率條件下的失效率數(shù)碼顯微鏡測量

tags:實驗,成像儀器,技術(shù),試驗,科技,生物顯微鏡,精密儀器,

通常環(huán)境下生產(chǎn)線上產(chǎn)品如何測試失效率,熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)

本頁地址：http://www.threebear.com.cn/wz/2161.html轉(zhuǎn)載注明
本站地址：http://www.threebear.com.cn/
http://www.xianweijing.org/